Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 600V 7A 79W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 7A 79W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 7A 79W

P7F60HP2-5600
SHINDENGEN
Tranzistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 79W
7,45 lei
6,16 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 600V 7A Idm: 28A 79W de la producătorul SHINDENGEN este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor este disponibil în ambalaj vrac și se montează cu tehnologia THT. Carcasa FTO-220AG (SC91) oferă o putere disipată de 79W, iar curentul de drenă în impuls este de 28A.

Cu o polarizare unipolară, tranzistorul are un curent de drenă de 7A și o tensiune drenă-sursă de 600V. Tensiunea poartă-sursă este de ±30V, iar rezistența în timpul funcționării este de 1,05Ω. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 19nC.

Fiind un N-MOSFET, acest tranzistor utilizează tehnologia Hi-PotMOS2, oferind performanțe excelente și fiabilitate în aplicațiile dumneavoastră. Alegeți calitatea și eficiența cu Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 de la SHINDENGEN.
Detalii
P7F60HP2-5600

Fisa tehnica

Producător
SHINDENGEN
Subtip ambalaj
în vrac
Putere disipată
79W
Montare
THT
Carcasă
FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls
28A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
7A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1,05Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
19nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
Hi-PotMOS2

Coduri specifice

cod UPC
594898527485
cod EAN13
5948500255238
Cod MPN
P7F60HP2-5600
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: