• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 800V 1,8A 54W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 800V 1,8A 54W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 800V 1,8A 54W TO220AB

IRFBE20PBF
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,8A; Idm: 7,2A; 54W; TO220AB
11,83 lei
9,78 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul VISHAY N-MOSFET unipolar 800V 1,8A Idm: 7,2A 54W TO220AB este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere disipată de până la 54W. Acest tranzistor se remarcă prin subtipul de canal îmbogățit, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de proiecte electronice.

Cu o tensiune drenă-sursă de 800V și o polarizare unipolară, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de 6,5Ω, asigurând o funcționare stabilă și eficientă. De asemenea, curentul de drenă de 1,8A și curentul de drenă în impuls de 7,2A fac din acest dispozitiv o alegere excelentă pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a energiei.

Cu o grosime a radiatorului cuprinsă între 1,14 și 1,4mm, acest tranzistor permite o dispersie eficientă a căldurii, menținând temperatura la un nivel optim pentru o funcționare îndelungată și fiabilă. Subtipul ambalajului în tub și montarea THT fac instalarea acestui tranzistor rapidă și simplă, potrivindu-se perfect într-o varietate de configurații.

În concluzie, tranzistorul VISHAY N-MOSFET unipolar 800V 1,8A Idm: 7,2A 54W TO220AB este o alegere excelentă pentru proiecte electronice care necesită o performanță superioară și o fiabilitate deosebită.
Detalii
IRFBE20PBF

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
54W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Curent de drenă în impuls
7,2A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
1,8A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
6,5Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
38nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Grosime radiator
1,14...1,4mm

Coduri specifice

cod EAN13
5942272150517
Cod MPN
IRFBE20PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: