• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC

Tranzistor N-MOSFET 200V 130A 520W TO247AC INFINEON TECHNOLOGIES

IRFP4668PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
39,81 lei
32,90 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor N-MOSFET 200V 130A 520W TO247AC INFINEON TECHNOLOGIES reprezintă o soluție avansată pentru aplicații de putere, oferind performanțe remarcabile într-un pachet robust. Proiectat de INFINEON TECHNOLOGIES, acest tranzistor de tip N-MOSFET utilizează tehnologia HEXFET®, asigurând eficiență energetică și fiabilitate în condiții de operare extreme.

Cu o capacitate de disipare a puterii de 520W și un curent drenă maxim de 130A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații industriale și de alimentare, unde este necesară o gestionare eficientă a energiei. Tensiunea drenă-sursă de 200V și tensiunea poartă-sursă de ±30V permit utilizarea sa într-o varietate de configurații, oferind flexibilitate în design.

Carcasa TO247AC și montarea THT facilitează integrarea ușoară în circuite complexe, în timp ce rezistența în timpul funcționării de 9,7mΩ asigură pierderi minime de energie. Subtipul canal îmbogățit contribuie la performanțe superioare, iar încărcătura poartă de 161nC optimizează viteza de comutare.

Alege Tranzistorul N-MOSFET 200V 130A 520W TO247AC INFINEON TECHNOLOGIES pentru soluții eficiente și durabile în domeniul electronicii de putere.
Detalii
IRFP4668PBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
520W
Montare
THT
Carcasă
TO247AC
Polarizare
unipolar
Curent drenă
130A
Tensiune drenă-sursă
200V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
9,7mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
161nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5942702746587
Cod MPN
IRFP4668PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,12A 0,5W TO92 - Componentă Electronică pentru Circuit Integrat | Electronic-mag.ro | Compone

Cod: BS107P

Marca: DIODES INCORPORATED

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,12A 0,5W TO92 - Componentă Electronică pentru Circuit Integrat

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,12A; 0,5W; TO92
9,49 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,12A 0,5W TO92 - Componentă Electronică pentru Circuit Integrat
In stoc
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 700V 8A 63W TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMP11N70C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 700V 8A 63W TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 8A; 63W; TO251
4,92 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 700V 8A 63W TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc