• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET 800V 1.89A 80W TO220-3 Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 800V 1.89A 80W TO220-3 Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET 800V 1.89A 80W TO220-3 Tranzistor

STP4NK80Z
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,89A; 80W; TO220-3
21,24 lei
17,55 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1,89A 80W TO220-3 de la STMicroelectronics este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acest tranzistor dispune de o carcasă TO220-3, oferind o montare simplă pe plăcile de circuit imprimate.

Cu o putere disipată de 80W, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini grele fără să se supraîncălzească. Elementele semiconductoare sunt protejate împotriva descărcărilor electrostatice (ESD), asigurând o durată lungă de viață a dispozitivului.

Tranzistorul are o polarizare unipolară și un curent de drenaj de 1,89A, fiind potrivit pentru aplicații de comutare și amplificare. Tensiunea drenaj-sursă de 800V și tensiunea poartă-sursă de ±30V permit utilizarea acestui tranzistor într-o varietate de circuite.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 3,5Ω și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă performanțe excelente în aplicațiile cu cerințe ridicate. Tehnologia SuperMesh™ asigură o funcționare eficientă și fiabilă a dispozitivului.

Indiferent dacă este folosit în surse de alimentare sau în circuite de control, tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1,89A 80W TO220-3 de la STMicroelectronics este o alegere excelentă pentru proiectele electronice de înaltă performanță.
Detalii
STP4NK80Z

Fisa tehnica

Producător
STMicroelectronics
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
80W
Montare
THT
Carcasă
TO220-3
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Polarizare
unipolar
Curent drenă
1,89A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
3,5Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SuperMesh™

Coduri specifice

cod UPC
594573445257
cod EAN13
5941286210859
Cod MPN
STP4NK80Z
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: