• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET 650V 2A 38W TO251 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 650V 2A 38W TO251 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 650V 2A 38W TO251

SPU03N60C3BKMA1
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9,6A; 38W; TO251
8,74 lei
7,22 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 650V 2A Idm: 9,6A 38W TO251 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv electronic extrem de performant, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acest tranzistor impresionează prin caracteristicile sale deosebite, cum ar fi carcasa TO251, care asigură o montare ușoară și sigură.

Cu o putere disipată de 38W, acest tranzistor poate gestiona cu succes sarcini de mare intensitate. Curentul de drenă în impuls de 9,6A și curentul de drenă de 2A fac din acest dispozitiv o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o funcționare eficientă și fiabilă. Tensiunea drenă-sursă de 650V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o performanță stabilă și constantă.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 1,4Ω și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă o funcționare eficientă și de lungă durată. Încărcătura poartă de 2nC și tehnologia CoolMOS™ completează caracteristicile de top ale acestui produs inovator. Pentru o calitate superioară și performanțe exceptionale, alegeți Tranzistorul N-MOSFET unipolar 650V 2A Idm: 9,6A 38W TO251 de la INFINEON TECHNOLOGIES.
Detalii
SPU03N60C3BKMA1

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
38W
Montare
THT
Carcasă
TO251
Curent de drenă în impuls
9,6A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
2A
Tensiune drenă-sursă
650V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1,4Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
2nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
CoolMOS™

Coduri specifice

cod EAN13
5941835223088
Cod MPN
SPU03N60C3BKMA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Stoc epuizat Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componente

Cod: IRFD210PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,38A; 1W; DIP4
0,00 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță
Stoc epuizat