• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 60V 17A 60W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 60V 17A 60W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 60V 17A 60W TO220AB

IRFZ24PBF
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
13,83 lei
11,43 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 17A Idm: 68A 60W TO220AB de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor este fabricat de VISHAY și vine într-un ambalaj tub, fiind montat pe circuitul tip THT. Carcasa TO220AB oferă o putere de disipare de 60W, ceea ce îl face potrivit pentru utilizare în diverse aplicații.

Cu un curent de drenă în impuls de 68A, acest tranzistor poate gestiona sarcini mari în mod eficient. Polarizarea unipolară permite o funcționare stabilă și fiabilă. Curentul de drenă de 17A și tensiunea drenă-sursă de 60V îl fac potrivit pentru diverse aplicații de putere.

Tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o comunicare eficientă între tranzistor și circuitul de control. Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,1Ω, acest tranzistor oferă performanțe excelente în diverse condiții de funcționare. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 25nC îl face potrivit pentru aplicații de comutare rapidă.

Tranzistorul N-MOSFET de la VISHAY este un produs de încredere și de înaltă performanță, potrivit pentru diverse aplicații electronice. Fiind un N-MOSFET, acest tranzistor oferă performanțe superioare și eficiență energetică. Alegeți acest tranzistor pentru a vă asigura că aplicația dvs. funcționează la parametri optimi.
Detalii
IRFZ24PBF

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
60W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Curent de drenă în impuls
68A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
17A
Tensiune drenă-sursă
60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,1Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
25nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5940630386042
Cod MPN
IRFZ24PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMN10N60C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO262
7,57 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc