• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 1,5kV 3A 125W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 1,5kV 3A 125W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 1,5kV 3A 125W

WMJ3N150D1-CYG
Wayo
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1,5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
21,63 lei
17,88 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET WMOS™ D1 unipolar 1,5kV 3A Idm: 12A 125W de la WAYON este un dispozitiv de semiconductori de înaltă calitate, perfect pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor vine cu o gamă de caracteristici impresionante care îl fac o alegere ideală pentru proiectele tale.

Producător: WAYON
Subtip ambalaj: tub
Montare: THT
Carcasă: TO247-3
Putere disipată: 125W
Curent de drenă în impuls: 12A
Polarizare: unipolar
Curent drenă: 3A
Tensiune drenă-sursă: 1,5kV
Tensiune poartă-sursă: ±30V
Rezistență în timpul funcționării: 5,7Ω
Subtip canal: îmbogățit
Încărcătură poartă: 40nC
Tip tranzistor: N-MOSFET
Tehnologie: WMOS™ D1

Cu o putere disipată de 125W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de putere ridicate. De asemenea, cu o tensiune drenă-sursă de 1,5kV, acesta este ideal pentru aplicații care necesită o izolare electrică puternică. Tehnologia avansată WMOS™ D1 asigură performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.

Indiferent dacă lucrezi la proiecte de electronică de hobby sau la aplicații industriale complexe, Tranzistorul N-MOSFET WAYON este alegerea perfectă pentru nevoile tale. Cu o gamă largă de caracteristici și o construcție solidă, acest tranzistor este proiectat pentru a oferi performanțe remarcabile într-o varietate de aplicații.
Detalii
WMJ3N150D1-CYG

Fisa tehnica

Producător
WAYON
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
125W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
12A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
3A
Tensiune drenă-sursă
1,5kV
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
5,7Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
40nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
WMOS™ D1

Coduri specifice

cod UPC
594705964212
cod EAN13
5949396066021
Cod MPN
WMJ3N150D1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: