Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
N-MOSFET Tranzistor 60V 79A 110W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 60V 79A 110W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 60V 79A 110W TO220AB

IRF1018EPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
14,51 lei
11,99 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 79A 110W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o performanță superioară. Acest tranzistor are o putere disipată de 110W și poate funcționa la o tensiune drenă-sursă de 60V. Cu o rezistență în timpul funcționării de 8,4mΩ, acesta asigură o eficiență excelentă a circuitului. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 46nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații sensibile la viteză. Tehnologia HEXFET® asigură o performanță fiabilă și durabilă. Montarea acestui tranzistor este simplă, de tip THT, iar carcasa TO220AB oferă o bună dispersie a căldurii. Cu o polarizare unipolară și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor este potrivit pentru o gamă largă de aplicații electronice de putere.
Detalii
IRF1018EPBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
110W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
79A
Tensiune drenă-sursă
60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
8,4mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
46nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5949598015117
Cod MPN
IRF1018EPBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: