• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET 100V 0.94A DIP4 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 0.94A DIP4 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 0.94A DIP4

IRFD120PBF
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,94A; 1,3W; DIP4
9,95 lei
8,22 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 0,94A 1,3W DIP4 de la VISHAY este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, perfect pentru aplicații care necesită o soluție fiabilă și eficientă din punct de vedere energetic. Acest tranzistor este fabricat de către VISHAY, un producător de încredere din industria electronică. Cu o montare prin găuri tehnologice (THT), acest tranzistor este ușor de integrat în designurile dvs. existente.

Carcasa DIP4 oferă protecție și durabilitate, asigurând o disipare eficientă a puterii de până la 1,3W. Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face potrivit pentru aplicații specifice. Cu un curent de drenaj de 0,94A și o tensiune de drenaj-sursă de 100V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative.

Tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă și precisă, în timp ce rezistența redusă de 0,27Ω maximizează eficiența energetică. Subtipul canalului este îmbogățit, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații specifice. Cu o încărcătură a porții de 16nC, acest tranzistor oferă performanțe excelente într-o varietate de aplicații.

Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 0,94A 1,3W DIP4 de la VISHAY este soluția ideală pentru proiectele dvs. electronice care necesită fiabilitate, eficiență și performanță deosebită. Alegeți acest tranzistor pentru a beneficia de calitate superioară și funcționalitate remarcabilă în proiectele dvs.
Detalii
IRFD120PBF

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Putere disipată
1,3W
Montare
THT
Carcasă
DIP4
Polarizare
unipolar
Curent drenă
0,94A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,27Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
16nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5949508790783
Cod MPN
IRFD120PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 5A 42W TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMP07N60C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 5A 42W TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO251
7,57 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 5A 42W TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc