Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A

Tranzistorul UF3C065080K4S de la UnitedSiC este un dispozitiv semiconductoare de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și o putere disipată eficientă. Acest tranzistor unipolar în cascadă are o tensiune drenă-sursă de 650V și poate suporta un curent de drenă de până la 23A. Tehnologia avansată SiC și carcasa TO247-4 asigură o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 80mΩ, ceea ce îl face ideal pentru aplicații de putere de înaltă frecvență. Cu o putere disipată de 190W și o polarizare unipolară, acest tranzistor N-JFET/N-MOSFET poate gestiona sarcini de comutare cu eficiență ridicată. De asemenea, caracteristicile sale includ un curent de drenă în impuls de 65A, o tensiune poartă-sursă de ±25V și o încărcătură poartă de 43nC. Cu montare THT și terminal Kelvin, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse aplicații industriale și comerciale.