Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 33A 250W

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 33A 250W de la BASiC SEMICONDUCTOR reprezintă soluția ideală pentru aplicații industriale și de înaltă performanță, oferind eficiență și fiabilitate în condiții exigente. Construit pe baza tehnologiei avansate SiC (carbid de siliciu), acest tranzistor asigură o disipare de putere de până la 250W, făcându-l potrivit pentru sisteme de alimentare, convertizoare și aplicații de control al motorului.

Cu o tensiune drenă-sursă de 1,2kV și un curent de drenă de 33A, acest dispozitiv oferă performanțe superioare, fiind capabil să suporte impulsuri de curent de până la 85A. Montarea THT (through-hole technology) în carcasă TO247-4 facilitează integrarea în diverse proiecte electronice, iar subtipul ambalajului în tub asigură o manipulare ușoară.

Rezistența redusă în timpul funcționării de 65mΩ și polarizarea unipolară contribuie la eficiența energetică, în timp ce caracteristicile semiconductorilor cu terminal Kelvin permit o măsurare precisă a curentului. Tensiunea poartă-sursă variabilă de -4...18V și încărcătura poartă de 60nC asigură un control optim al comutării.

Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 33A 250W de la BASiC SEMICONDUCTOR pentru a beneficia de tehnologie de vârf, fiabilitate și performanță excepțională în aplicațiile dumneavoastră.