Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 60V 86A 58W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 60V 86A 58W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 60V 86A 58W

P86F6SN-5600
SHINDENGEN
Tranzistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 86A; Idm: 344A; 58W
20,36 lei
16,83 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET EETMOS3 unipolar 60V 86A Idm: 344A 58W de la producătorul SHINDENGEN este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor este ambalat în vrac și se montează pe placă prin orificiile tehnologiei THT. Carcasa FTO-220AG (SC91) oferă o putere disipată de 58W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini de curent intens.

Cu un curent de drenaj în impuls de 344A și un curent de drenaj de 86A, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință cerințele de putere ale proiectelor dumneavoastră. Polarizarea unipolară și tensiunea drenaj-sursă de 60V asigură performanțe fiabile și stabile.

Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V și o rezistență în timpul funcționării de 3mΩ, acest tranzistor N-MOSFET EETMOS3 este proiectat pentru a oferi performanțe superioare în aplicațiile dumneavoastră. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 181nC, ceea ce optimizează funcționarea tranzistorului.

Fiind un tranzistor N-MOSFET de înaltă calitate, acest produs beneficiază de tehnologia EETMOS3, care îmbunătățește semnificativ performanța și eficiența acestuia. Cu o gamă largă de caracteristici și specificații impresionante, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii
P86F6SN-5600

Fisa tehnica

Producător
SHINDENGEN
Subtip ambalaj
în vrac
Putere disipată
58W
Montare
THT
Carcasă
FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls
344A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
86A
Tensiune drenă-sursă
60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
3mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
181nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
EETMOS3

Coduri specifice

cod UPC
594137831717
cod EAN13
5946739439634
Cod MPN
P86F6SN-5600
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Stoc epuizat Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Component

Cod: IRLD014PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1,2A; 1,3W; HVMDIP
0,00 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță
Stoc epuizat