• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4

Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 74A DIOTEC SEMICONDUCTOR TO247-4

DIF065SIC030-DIO
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
170,55 lei
140,95 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 74A DIOTEC SEMICONDUCTOR TO247-4 este soluția ideală pentru aplicații de putere înaltă, oferind performanțe superioare și eficiență energetică. Fabricat de DIOTEC SEMICONDUCTOR, acest tranzistor se remarcă printr-o montare THT și o carcasă robustă TO247-4, asigurând o integrare ușoară în diverse circuite electronice.

Cu o capacitate de curent de drenă de 74A și un curent de drenă în impuls de 105A, acest model este conceput pentru a face față celor mai exigente cerințe. Tensiunea drenă-sursă de 650V și tensiunea poartă-sursă variabilă de -4...18V îl fac versatil, adaptabil diverselor aplicații industriale. Rezistența în timpul funcționării de doar 30mΩ asigură pierderi minime de energie, contribuind la eficiența sistemului.

Subtipul canal îmbogățit și caracteristicile semiconductoare cu terminal Kelvin îmbunătățesc performanța generală și stabilitatea dispozitivului. Încărcătura poartă de 145nC garantează o comutare rapidă și eficientă, ideală pentru aplicații de înaltă frecvență. Tehnologia SiC oferă o rezistență termică excelentă, făcând acest tranzistor perfect pentru aplicații care necesită fiabilitate și durabilitate pe termen lung. Alege Tranzistorul N-MOSFET SiC DIOTEC pentru soluții de putere eficiente și de încredere!
Detalii
DIF065SIC030-DIO

Fisa tehnica

Producător
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Montare
THT
Carcasă
TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls
105A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
74A
Tensiune drenă-sursă
650V
Tensiune poartă-sursă
-4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării
30mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
145nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC

Coduri specifice

cod EAN13
5945434959911
Cod MPN
DIF065SIC030
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 unipolar 700V 4A 42W TO251 - Componente electronice de înaltă performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMP07N70C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 unipolar 700V 4A 42W TO251 - Componente electronice de înaltă performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO251
4,55 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 unipolar 700V 4A 42W TO251 - Componente electronice de înaltă performanță
In stoc