• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 46A; Idm: 100A; 278W

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 46A DIOTEC SEMICONDUCTOR

DIF120SIC053-DIO
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
92,54 lei
76,48 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 46A DIOTEC SEMICONDUCTOR este o soluție avansată pentru aplicații de putere, oferind performanțe superioare datorită tehnologiei de carbon silicon (SiC). Proiectat de DIOTEC SEMICONDUCTOR, acest tranzistor de tip N-MOSFET este ideal pentru utilizări în medii exigente, având o capacitate de disipare a puterii de 278W.

Cu o carcasă TO247-4 și montare THT, acest produs este ușor de integrat în diverse circuite electronice. Curentul de drenă de 46A și curentul de drenă în impuls de 100A permit gestionarea eficientă a sarcinilor mari, în timp ce tensiunea drenă-sursă de 1,2kV asigură un nivel ridicat de siguranță și fiabilitate.

Caracteristicile avansate ale elementelor semiconductoare, precum terminalul Kelvin și rezistența în timpul funcționării de doar 65mΩ, contribuie la eficiența energetică a aplicațiilor. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit garantează o performanță optimă în condiții de operare variate. Cu o încărcătură a porții de 121nC și o tensiune poartă-sursă între -4...18V, acest tranzistor este perfect pentru aplicații moderne de control al energiei.

Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 46A DIOTEC SEMICONDUCTOR pentru soluții eficiente și durabile în domeniul electronicii de putere.
Detalii
DIF120SIC053-DIO

Fisa tehnica

Producător
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
278W
Montare
THT
Carcasă
TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls
100A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
46A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Tensiune poartă-sursă
-4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării
65mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
121nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC

Coduri specifice

cod EAN13
5943116738960
Cod MPN
DIF120SIC053
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: