N-MOSFET SiC 1.2kV 29A 207W G3R75MT12K

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 29A Idm: 80A 207W, G3R75MT12K de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, conceput pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice.

Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici tehnice impresionante, cum ar fi tehnologia avansată SiC, care asigură o performanță superioară și fiabilitate pe termen lung. Carcasa TO247-4 permite o montare ușoară și sigură, iar subtipul de ambalaj în tub oferă protecție suplimentară împotriva factorilor externi.

Cu o putere disipată de 207W, curent de drenă în impuls de 80A și rezistență în timpul funcționării de doar 75mΩ, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a puterii. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit contribuie la performanțe excelente și stabilitate în funcționare.

Tensiunea drenă-sursă de 1.2kV, curentul de drenă de 29A și tensiunea poartă-sursă de -5...15V fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații care necesită o gamă largă de tensiuni de lucru. Încărcătura poartă de 54nC și tipul N-MOSFET completează lista de caracteristici impresionante ale acestui produs inovator.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 29A Idm: 80A 207W, G3R75MT12K de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este soluția perfectă pentru proiectele electronice care necesită performanțe ridicate, fiabilitate și eficiență energetică.