Tranzistor N-MOSFET ONSEMI NTP165N65S3H 650V 19A TO220-3

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI NTP165N65S3H 650V 19A TO220-3 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET cu canal îmbogățit oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 650V și un curent continuu de drenă de 19A, asigurând o putere disipată de până la 142W.

• Producător: ONSEMI


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 142W


• Montare: THT (Through-Hole Technology)


• Carcasă: TO220-3


• Curent de drenă în impuls: 53A


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 19A


• Tensiune drenă-sursă: 650V


• Tensiune poartă-sursă: ±30V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,165Ω


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 35nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET

Designul robust și caracteristicile tehnice avansate fac din NTP165N65S3H o alegere excelentă pentru circuite de putere, surse de alimentare, convertoare și alte aplicații industriale ce necesită fiabilitate și performanță ridicată.