Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FQPF3N80C 800V 1,9A 39W TO220FP

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FQPF3N80C 800V 1,9A 39W TO220FP este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia QFET® și dispune de un canal îmbogățit, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă.

• Producător: ONSEMI


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 39W


• Montare: THT (Through-Hole Technology)


• Carcasă: TO220FP


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 1,9A


• Tensiune drenă-sursă: 800V


• Tensiune poartă-sursă: ±30V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 4,8Ω


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 16,5nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET


• Tehnologie: QFET®

Acest tranzistor este potrivit pentru circuite ce necesită o tensiune ridicată de comutare și o disipare termică eficientă, fiind ideal pentru aplicații industriale și electronice de putere. Carcasa TO220FP asigură o montare ușoară și o disipare termică optimă.