N-MOSFET SiC Unipolar 1,2kV 21A 28W Tranzistor

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 21A Idm: 125A 28W, NTH4L080N120SC1 de la ONSEMI este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale superioare, precum montarea THT, carcasă TO247-4 și tehnologia avansată SiC. Cu o putere disipată de 28W și un curent de drenaj în impuls de 125A, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în diverse condiții de funcționare.

Cu o polarizare unipolară și un curent de drenaj de 21A, acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și fiabilă. Tensiunea drenaj-sursă de 1.2kV și tensiunea poartă-sursă de -15...25V fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații cu cerințe ridicate de tensiune și curent. Rezistența sa în timpul funcționării de 80mΩ și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru aplicații cu cerințe de performanță ridicate.

Cu o încărcătură de poartă de 56nC și tipul N-MOSFET, acest tranzistor oferă o soluție fiabilă și eficientă pentru aplicațiile dumneavoastră. Fiind fabricat de ONSEMI, un producător de renume în industria electronică, puteți avea încredere în calitatea și fiabilitatea acestui tranzistor. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 21A Idm: 125A 28W, NTH4L080N120SC1 pentru performanțe de vârf în aplicațiile dumneavoastră!