• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET SiC Tranzistor 1,2kV 45A 114W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC Tranzistor 1,2kV 45A 114W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC Tranzistor 1,2kV 45A 114W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC Tranzistor 1,2kV 45A 114W

IMZ120R030M1HXKSA1
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
175,35 lei
144,92 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 45A Idm: 150A 114W, IMZ120R030M1HXKSA1 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, cu performanțe remarcabile. Cu o putere disipată de 114W și un curent de drenă în impuls de 150A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o funcționare eficientă și fiabilă.

Carcasa TO247-4 și montarea prin orificii tehnologice fac acest tranzistor ușor de integrat în diverse sisteme electronice. Tehnologia SiC și caracteristicile elementelor semiconductoare, precum terminalul Kelvin, asigură o funcționare optimă și o durată lungă de viață a dispozitivului.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 57mΩ și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate în aplicații exigente. Fiind un N-MOSFET, acesta este polarizat unipolar și are un curent de drenă de 45A, o tensiune drenă-sursă de 1.2kV și o tensiune poartă-sursă cuprinsă între -7 și 23V.

Tranzistorul IMZ120R030M1HXKSA1 este potrivit pentru diverse aplicații industriale și comerciale, oferind o combinație excelentă între performanță și durabilitate. Alegeți acest tranzistor pentru proiectele dvs. electronice și beneficiați de calitatea și fiabilitatea oferite de INFINEON TECHNOLOGIES.
Detalii
IMZ120R030M1HXKSA1

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
114W
Montare
THT
Carcasă
TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls
150A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
45A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
1.2kV
Tensiune poartă-sursă
-7...23V
Rezistenţă în timpul funcţionării
57mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
CoolSiC™
SiC

Coduri specifice

cod UPC
594611901080
cod EAN13
5944543112811
Cod MPN
IMZ120R030M1HXKSA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: