• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
N-MOSFET SiC Tranzistor 1kV 35A TO247-4 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC Tranzistor 1kV 35A TO247-4 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC Tranzistor 1kV 35A TO247-4

C3M0065100K
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113,5W; TO247-4; 14ns
0,00 lei
0,00 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1kV 35A 113,5W TO247-4 14ns, C3M0065100K de la Wolfspeed (CREE) este un produs de înaltă performanță, potrivit pentru o varietate de aplicații electronice. Acest tranzistor se remarcă prin tehnologia sa avansată SiC, care îi conferă o rezistență în timpul funcționării de 65mΩ, asigurând o funcționare eficientă și fiabilă. Cu o putere disipată de 113.5W, acesta poate gestiona sarcini de până la 35A, oferind o performanță excelentă în diverse condiții de lucru.

Tranzistorul are o polarizare unipolară și un subtip de canal îmbogățit, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații specifice. Cu o tensiune drenă-sursă de 1kV și o tensiune poartă-sursă cuprinsă între -8 și 19V, acest tranzistor oferă flexibilitate în proiectarea circuitelor electronice. De asemenea, timpul său de restabilire de 14ns îl face ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de viteză și performanță.

Cu o montare pe suprafață (THT) și o carcasă TO247-4, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse dispozitive electronice. Terminalul Kelvin și încărcătura de poartă de 35nC sunt detalii care completează profilul acestui tranzistor de înaltă calitate. În concluzie, tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de la Wolfspeed (CREE) reprezintă o alegere excelentă pentru proiectele electronice care necesită performanță, fiabilitate și eficiență.
Detalii
C3M0065100K

Fisa tehnica

Producător
Wolfspeed(CREE)
Putere disipată
113.5W
Montare
THT
Carcasă
TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare
terminal Kelvin
Polarizare
unipolar
Curent drenă
35A
Tensiune drenă-sursă
1kV
Tensiune poartă-sursă
-8...19V
Rezistenţă în timpul funcţionării
65mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
35nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
14ns
Tehnologie
SiC

Coduri specifice

cod UPC
594149759559
cod EAN13
5949497183351
Cod MPN
C3M0065100K
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: