N-MOSFET SiC 1.2kV 73A 500W MSC025SMA120B

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 73A Idm: 275A 500W, MSC025SMA120B de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Cu o putere disipată de 500W și un curent de drenă în impuls de 275A, acest tranzistor este ideal pentru sarcini de mare putere. Carcasa TO247-3 și tehnologia SiC asigură o disipare eficientă a căldurii, menținând tranzistorul la o temperatură optimă în timpul funcționării.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 31mΩ și o tensiune drenă-sursă de 1.2kV, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în aplicații cu cerințe ridicate de tensiune și curent. Subtipul canal îmbogățit și polarizarea unipolară fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații de comutație de înaltă frecvență.

Cu o încărcătură de poartă de 232nC și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diferite tipuri de circuite electronice. Fiabilitatea și performanța sa excelentă fac din Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 73A Idm: 275A 500W, MSC025SMA120B de la MICROCHIP (MICROSEMI) alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră de înaltă putere.