
Cod: STF26NM60N
Marca: STMicroelectronics
Politica de securitate
Politica de livrare
Politica de returnare
Termeni si conditii
Informatii GDPR
Tranzistor N-MOSFET VISHAY IRF640PBF-BE3 200V 11A 125W TO220AB este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor N-MOSFET unipolar, cu canal îmbogățit, oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 200V și un curent de drenă continuu de 11A, asigurând o putere disipată de până la 125W.
Datorită carcasei TO220AB și montării THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse circuite electronice, oferind stabilitate termică și performanțe ridicate în aplicații industriale sau de putere. IRF640PBF-BE3 este alegerea potrivită pentru proiecte ce necesită fiabilitate și eficiență în comutare.
Fisa tehnica
Coduri specifice
Cod: STF26NM60N
Marca: STMicroelectronics
Cod: FQA13N80-F109
Marca: ONSEMI
Cod: STD4NK60Z-1
Marca: STMicroelectronics
Cod: WMJ28N60F2-CYG
Marca: Wayo
Cod: STW11NK90Z
Marca: STMicroelectronics
Cod: MSC180SMA120B
Marca: Microchip
Cod: DIW120SIC022-AQ
Marca: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Cod: IPA60R190P6XKSA1
Marca: INFINEON TECHNOLOGIES
Cod: IXFP18N60X
Marca: IXYS
Cod: STP19NF20
Marca: STMicroelectronics
Cod: IXFP8N65X2
Marca: IXYS
Cod: FDP18N50
Marca: ONSEMI
Cod: IXTP62N15P
Marca: IXYS
Cod: IXTQ96N20P
Marca: IXYS
Cod: STP16NF06
Marca: STMicroelectronics
Cod: IXFH70N30Q3
Marca: IXYS