Tranzistor N-MOSFET SiC 700V 54A 283W

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 700V 54A Idm: 192A 283W, MSC035SMA070B4 de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă calitate, conceput pentru a satisface cele mai exigente cerințe în domeniul electronicelor. Cu o putere disipată de 283W și un curent de drenă în impuls de 192A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o performanță excelentă și fiabilitate ridicată.

Carcasa TO247-4 și tehnologia SiC asigură o disipare eficientă a căldurii, ceea ce contribuie la o funcționare stabilă și durabilă a dispozitivului. De asemenea, rezistența redusă în timpul funcționării de 44mΩ și subtipul canal îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o eficiență maximă.

Cu o tensiune drenă-sursă de 700V și o încărcătură poartă de 99nC, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile într-o varietate de aplicații. Polarizarea unipolară și tipul N-MOSFET fac din acest produs o alegere ideală pentru proiectele care necesită un control precis al curentului.

Indiferent de cerințele specifice ale proiectului dvs., Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 700V 54A Idm: 192A 283W, MSC035SMA070B4 de la MICROCHIP (MICROSEMI) este soluția perfectă pentru a atinge performanța și fiabilitatea dorite. Alegeți calitatea și eficiența cu acest tranzistor de încredere!