Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 26A 200W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 26A 200W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 26A 200W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 26A 200W

MSC080SMA120B
Microchip

Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 26A; Idm: 91A; 200W

120,72 lei
99,77 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului. Cu o tensiune nominală de 1,2kV și o curent de 26A, acest tranzistor oferă o putere de 200W și o curent de descărcare maxim de 91A. Codul produsului este MSC080SMA120B.

Principalele caracteristici ale acestui tranzistor includ o rezistență redusă de conducție, o capacității de comutare rapidă și o durată lungă de viață. Cu o construcție robustă și o toleranță la temperaturi ridicate, acest tranzistor este ideal pentru aplicații industriale și comerciale exigente.

Datorită tehnologiei avansate SiC (carbură de siliciu), acest tranzistor oferă o eficiență superioară și o performanță fiabilă în condiții de funcționare extreme. Cu o dimensiune compactă și o instalare ușoară, acest tranzistor este soluția perfectă pentru proiectele care necesită o comutare rapidă și o durată de viață lungă.

Investiți în tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de la MICROCHIP (MICROSEMI) și beneficiați de performanță de top și fiabilitate pentru aplicațiile dvs. electronice.
Detalii
MSC080SMA120B

Fisa tehnica

Producător
MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată
200W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
91A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
26A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,1Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
64nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC

Coduri specifice

cod UPC
594465276211
cod EAN13
5946165041692
Cod MPN
MSC080SMA120B
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 unipolar 700V 4A 42W TO251 - Componente electronice de înaltă performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMP07N70C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 unipolar 700V 4A 42W TO251 - Componente electronice de înaltă performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO251
4,55 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 unipolar 700V 4A 42W TO251 - Componente electronice de înaltă performanță
In stoc