Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 26A 200W

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 26A Idm: 90A 200W, MSC080SMA120B4 de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă calitate, perfect pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor se remarcă prin tehnologia sa inovatoare SiC, care îi conferă o rezistență și o durabilitate deosebită. Carcasa TO247-4 permite o montare ușoară și sigură, iar terminalul Kelvin asigură o conexiune stabilă și precisă.

Cu o putere disipată de 200W, acest tranzistor poate face față fără probleme unor sarcini intense. Curentul de drenă în impuls de 90A și curentul de drenă de 26A îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o performanță ridicată. Polarizarea unipolară și tensiunea drenă-sursă de 1.2kV îl fac potrivit pentru diverse proiecte electronice.

Rezistența sa în timpul funcționării de 0.1Ω îl face extrem de eficient din punct de vedere energetic, iar subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 64nC îl fac ideal pentru aplicații complexe. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 26A Idm: 90A 200W, MSC080SMA120B4 de la MICROCHIP (MICROSEMI) pentru performanță și fiabilitate garantate!