Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ V unipolar 650V 20,8A 190W, STP42N65M5 de la STMicroelectronics este un produs de înaltă calitate, cu o serie de caracteristici impresionante. Acest tranzistor este montat prin tehnologia THT și are o carcasă TO220-3, fiind ambalat într-un tub pentru protecție. Tehnologia MDmesh™ V îl face extrem de fiabil, iar poarta protejată împotriva electrostatică oferă siguranță suplimentară.
Cu o putere disipată de 190W, acest tranzistor poate face față cu ușurință sarcinilor intense. Polarizarea unipolară îl face potrivit pentru o varietate de aplicații, iar curentul de drenare de 20.8A și tensiunea de drenare-sursă de 650V îl fac ideal pentru utilizările cu cerințe ridicate de performanță.
Cu o tensiune poartă-sursă de ±25V și o rezistență în timpul funcționării de 79mΩ, acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și fiabilă. Subtipul canal îmbogățit și tipul N-MOSFET îl fac versatil și potrivit pentru o varietate de aplicații.
În concluzie, Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ V unipolar 650V 20,8A 190W, STP42N65M5 de la STMicroelectronics este o alegere excelentă pentru cei care caută un produs de încredere, puternic și eficient pentru proiectele lor electronice.