Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ unipolar -85V -24A 83W TO263, fabricat de IXYS, este o alegere excelentă pentru aplicațiile electronice care necesită o performanță de înaltă calitate. Acest tranzistor este ambalat într-un tub TO263 și este montat pe suprafață (SMD), ceea ce îl face ușor de integrat în proiectele dvs. electronice.
Cu o putere disipată de 83W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de putere mari. Polarizarea unipolară îl face ideal pentru aplicațiile în care este necesar un control precis al curentului.
Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 65mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă a energiei. Subtipul canalului îmbogățit și o încărcătură de poartă de 41nC asigură performanțe ridicate și o comutare rapidă.
Acest tranzistor P-MOSFET are o tensiune drenă-sursă de -85V și o tensiune poartă-sursă de ±15V, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații electronice. Cu un timp de restabilire de doar 40ns și tehnologia TrenchP™, acest tranzistor oferă performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.
Detalii
IXTA24P085T
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
83W
Montare
SMD
Carcasă
TO263
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-24A
Tensiune drenă-sursă
-85V
Tensiune poartă-sursă
±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
65mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
41nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Timp de restabilire
40ns
Tehnologie
TrenchP™
Coduri specifice
cod EAN13
5945854497000
Cod MPN
IXTA24P085T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.