Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
P-MOSFET Unipolar -40V -8.3A 2.9W SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • P-MOSFET Unipolar -40V -8.3A 2.9W SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

P-MOSFET Unipolar -40V -8.3A 2.9W SO8

SI4401BDY-E3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8,3A; 2,9W; SO8
14,27 lei
11,79 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
VISHAY aduce pe piață Tranzistorul P-MOSFET unipolar cu o tensiune drenă-sursă de -40V și o curent drenă de până la -8,3A, ideal pentru aplicații sensibile la putere. Acest tranzistor de montare SMD în carcasă SO8 are o putere disipată de 2,9W și o polarizare unipolară, oferind rezistență în timpul funcționării de 21mΩ. Subtipul canal este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 55nC. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor P-MOSFET este alegerea perfectă pentru proiectele tale electronice.
Detalii
SI4401BDY-E3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
2,9W
Montare
SMD
Carcasă
SO8
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-8,3A
Tensiune drenă-sursă
-40V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
21mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
55nC
Tip tranzistor
P-MOSFET

Coduri specifice

cod UPC
594498838875
cod EAN13
5942331475476
Cod MPN
SI4401BDY-T1-E3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: