Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,76A; 313mW; SC89
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,76A; 313mW; SC89
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,76A; 313mW; SC89

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTE4151PT1G -20V 0,76A 313mW SC89

NTE4151PT1G
ONSEMI
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,76A; 313mW; SC89
1,11 lei
0,92 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTE4151PT1G -20V 0,76A 313mW SC89 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare eficientă și control precis al curentului. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor P-MOSFET unipolar dispune de o carcasă compactă SC89, potrivită pentru montare SMD, facilitând integrarea în circuite moderne.




  • Producător: ONSEMI

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă

  • Putere disipată: 313mW

  • Montare: SMD

  • Carcasă: SC89

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: -0,76A

  • Tensiune drenă-sursă: -20V

  • Tensiune poartă-sursă: ±6V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 1Ω

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 2,1nC

  • Tip tranzistor: P-MOSFET



Acest tranzistor este potrivit pentru aplicații ce necesită fiabilitate și performanță în condiții de tensiune și curent moderate, oferind o soluție compactă și eficientă pentru proiectele electronice.

Detalii
ONSEMI
NTE4151PT1G

Fisa tehnica

Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
313mW
Montare
SMD
Carcasă
SC89
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-0,76A
Tensiune drenă-sursă
-20V
Tensiune poartă-sursă
±6V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
2,1nC
Tip tranzistor
P-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5947333980386
Cod MPN
NTE4151PT1G
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® unipolar -30V, 50A Idm, 200A - Componentă electronică de putere | Electronic-mag.ro | Componente

Cod: SISS27DN-T1-GE3

Marca: VISHAY

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® unipolar -30V, 50A Idm, 200A - Componentă electronică de putere

(0)
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A
7,73 lei
Mai multe Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® unipolar -30V, 50A Idm, 200A - Componentă electronică de putere
In stoc
Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Maxima: -12V, Curent Maximal: -7,1A, Curent Pulsat: -20A | Electronic-mag.ro

Cod: SI2333CDS-T1-E3

Marca: VISHAY

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Maxima: -12V, Curent Maximal: -7,1A, Curent Pulsat: -20A

(0)
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -7,1A; Idm: -20A
6,17 lei
Mai multe Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Maxima: -12V, Curent Maximal: -7,1A, Curent Pulsat: -20A
In stoc