Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor P-MOSFET -80V 9.2A 15W PowerPAK SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET -80V 9.2A 15W PowerPAK SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET -80V 9.2A 15W PowerPAK SO8

SQJ481EP-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -9,2A; 15W; PowerPAK® SO8
9,91 lei
8,19 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -80V -9,2A 15W PowerPAK® SO8 de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice care necesită o putere de disipare de 15W. Acest tranzistor dispune de o carcasă PowerPAK® SO8, perfectă pentru montarea pe suprafață (SMD). Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de -80V, acest tranzistor oferă performanțe excelente în diverse aplicații.

Specificațiile tehnice ale tranzistorului includ o curent drenă de -9,2A și o tensiune poartă-sursă de ±20V, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă. De asemenea, tranzistorul are o rezistență în timpul funcționării de 80mΩ, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță.

Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură poartă de 33nC, acest tranzistor P-MOSFET este proiectat pentru a satisface nevoile celor mai exigente aplicații electronice. Cu VISHAY ca producător de încredere, puteți fi sigur de calitatea și fiabilitatea acestui tranzistor. Alegeți Tranzistorul P-MOSFET unipolar -80V -9,2A 15W PowerPAK® SO8 pentru performanță de top în proiectele dvs. electronice.
Detalii
SQJ481EP-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
15W
Montare
SMD
Carcasă
PowerPAK® SO8
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-9,2A
Tensiune drenă-sursă
-80V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
80mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
33nC
Tip tranzistor
P-MOSFET

Coduri specifice

cod UPC
594100588891
cod EAN13
5944495803607
Cod MPN
SQJ481EP-T1_GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Stoc epuizat Tranzistor P-MOSFET Unipolar -30V, 4.6A, 2.5W, SO8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componen

Cod: SI9435BDY-E3

Marca: VISHAY

Tranzistor P-MOSFET Unipolar -30V, 4.6A, 2.5W, SO8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4,6A; 2,5W; SO8
0,00 lei
Mai multe Tranzistor P-MOSFET Unipolar -30V, 4.6A, 2.5W, SO8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
Stoc epuizat
Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Maxima: -12V, Curent Maximal: -7,1A, Curent Pulsat: -20A | Electronic-mag.ro

Cod: SI2333CDS-T1-E3

Marca: VISHAY

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Maxima: -12V, Curent Maximal: -7,1A, Curent Pulsat: -20A

(0)
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -7,1A; Idm: -20A
6,17 lei
Mai multe Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Maxima: -12V, Curent Maximal: -7,1A, Curent Pulsat: -20A
In stoc