• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

P-MOSFET Unipolar -30V -8.8A 2.5W SO8 Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • P-MOSFET Unipolar -30V -8.8A 2.5W SO8 Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

P-MOSFET Unipolar -30V -8.8A 2.5W SO8 Tranzistor

SI4435DY
ONSEMI
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8,8A; 2,5W; SO8
13,13 lei
10,85 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -30V -8,8A 2,5W SO8, produs de ONSEMI, este o componentă electronică de înaltă performanță, proiectată pentru a satisface cele mai exigente cerințe ale aplicațiilor industriale. Acest tranzistor este montat în format SMD, având o carcasă compactă SO8 care facilitează integrarea sa în diferite tipuri de circuite electronice.

Cu o putere disipată de 2,5W, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în condiții de funcționare extinse. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și fiabilă în diverse aplicații. Cu un curent de drenaj de -8,8A și o tensiune drenaj-sursă de -30V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative cu eficiență și precizie.

Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 35mΩ contribuie la o performanță optimă în aplicații cu cerințe ridicate de control și reglaj. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 24nC completează caracteristicile avansate ale acestui tranzistor.

Cu un tip de tranzistor P-MOSFET și tehnologia PowerTrench®, acest produs oferă o combinație perfectă între eficiență energetică, performanță și fiabilitate. Fiind fabricat de ONSEMI, acest tranzistor este o alegere ideală pentru aplicațiile care necesită o soluție de înaltă calitate și durabilitate.
Detalii
ONSEMI
SI4435DY

Fisa tehnica

Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
2,5W
Montare
SMD
Carcasă
SO8
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-8,8A
Tensiune drenă-sursă
-30V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
35mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
24nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Tehnologie
PowerTrench®

Coduri specifice

cod EAN13
5941732249969
Cod MPN
SI4435DY
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: