Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2,6A; Idm: -20A
  • Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2,6A; Idm: -20A
  • Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2,6A; Idm: -20A

Tranzistor P-MOSFET VISHAY SI9407BDY-T1-E3 -60V, -20A, 2.6A Idm TrenchFET®

SI9407BDY-T1-E3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2,6A; Idm: -20A
8,07 lei
6,67 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere

Tranzistor P-MOSFET VISHAY SI9407BDY-T1-E3 -60V, -20A, 2.6A Idm TrenchFET® este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor P-MOSFET utilizează tehnologia avansată TrenchFET® pentru a asigura o rezistență redusă în timpul funcționării (0,12Ω) și o disipare a puterii de 3,2W.




  • Producător: VISHAY

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă

  • Putere disipată: 3,2W

  • Montare: SMD

  • Carcasă: SO8

  • Curent de drenă în impuls: -20A

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: -2,6A

  • Tensiune drenă-sursă: -60V

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,12Ω

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 22nC

  • Tip tranzistor: P-MOSFET

  • Tehnologie: TrenchFET®



Acest tranzistor este potrivit pentru utilizare în circuite de alimentare, comutatoare și alte aplicații electronice ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Montajul SMD și carcasa SO8 facilitează integrarea în design-uri compacte și moderne.

Detalii
SI9407BDY-T1-E3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
3,2W
Montare
SMD
Carcasă
SO8
Curent de drenă în impuls
-20A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-2,6A
Tensiune drenă-sursă
-60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,12Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
22nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5941087155687
Cod MPN
SI9407BDY-T1-E3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor P-MOSFET Unipolar -30V 15,7A 3,6W SO8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componente

Cod: SI4425DDY-T1-GE3

Marca: VISHAY

Tranzistor P-MOSFET Unipolar -30V 15,7A 3,6W SO8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15,7A; 3,6W; SO8
7,04 lei
Mai multe Tranzistor P-MOSFET Unipolar -30V 15,7A 3,6W SO8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc
Tranzistor P-MOSFET Unipolar 60V 1,9A 1,8W PG-SOT223 - Componente Electronice de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Compon

Cod: BSP170PH6327XTSA1

Marca: INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzistor P-MOSFET Unipolar 60V 1,9A 1,8W PG-SOT223 - Componente Electronice de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1,9A; 1,8W; PG-SOT223
9,51 lei
Mai multe Tranzistor P-MOSFET Unipolar 60V 1,9A 1,8W PG-SOT223 - Componente Electronice de Înaltă Performanță
In stoc