Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ unipolar -65V -120A 298W 53ns de la IXYS este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice avansate. Acest tranzistor oferă o putere disipată impresionantă de 298W și poate suporta o tensiune drenă-sursă de -65V. Cu o polarizare unipolară și o rezistență în timpul funcționării de doar 10mΩ, acest tranzistor asigură performanțe excelente într-o varietate de scenarii de utilizare. Cu o montare THT și o carcasă TO247-3, acesta este ușor de integrat în diverse dispozitive electronice. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 185nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații sensibile la timp. Cu un timp de restabilire rapid de 53ns și tehnologia inovatoare TrenchP™, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Alege Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ de la IXYS pentru o soluție electronică de încredere și eficientă.
Detalii
IXTH120P065T
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
298W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-120A
Tensiune drenă-sursă
-65V
Tensiune poartă-sursă
±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
10mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
185nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Timp de restabilire
53ns
Tehnologie
TrenchP™
Coduri specifice
cod UPC
594757767892
cod EAN13
5947972047785
Cod MPN
IXTH120P065T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.