Tranzistor P-MOSFET -100V 170A 890W IXTX170P10P

Tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ unipolar -100V -170A 890W 176ns, modelul IXTX170P10P, este un dispozitiv de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele cele mai exigente în domeniul electronicelor. Fabricat de către renumitul producător IXYS, acest tranzistor se remarcă prin tehnologia sa inovatoare TrenchP™, care asigură o funcționare fiabilă și eficientă.

Cu o putere disipată impresionantă de 890W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a energiei. Polarizarea unipolară și subtipul de canal îmbogățit contribuie la performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 14mΩ, acest tranzistor asigură o disipare minimă a căldurii și o eficiență maximă. Tensiunea drenă-sursă de -100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V oferă o flexibilitate excelentă în proiectarea circuitelor.

IXTX170P10P se remarcă și prin timpul de restabilire rapid de 176ns, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații sensibile la timp. Montat în carcasă PLUS247™ și ambalat în tub, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse aplicații.

Încărcătura poartă de 240nC și curentul drenă de -170A completează specificațiile impresionante ale acestui tranzistor de înaltă performanță. Cu o calitate superioară a construcției și caracteristici tehnice de top, tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ este alegerea ideală pentru proiectele electronice exigente.