Tranzistorul P-MOSFET PolarP™ unipolar -200V -26A 300W TO3P de la IXYS este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații industriale și comerciale. Acest tranzistor este proiectat pentru a oferi o putere disipată de 300W, având o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de -200V. Cu un curent de drenă de -26A și o rezistență în timpul funcționării de 0,17Ω, acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și fiabilă.
Subtipul de ambalaj al tranzistorului este tub, iar montarea se face prin orificii cu plumb (THT). Carcasa TO3P oferă o bună disipare a căldurii, contribuind la durabilitatea și eficiența tranzistorului. Tensiunea poartă-sursă este de ±20V, iar încărcătura poartă este de 56nC, ceea ce asigură o comutare rapidă și precisă a semnalului.
Acest tranzistor P-MOSFET este de tip îmbogățit, având un timp de restabilire de 240ns și tehnologie PolarP™, care îmbină performanța superioară cu eficiența energetică. Cu o gamă variată de aplicații posibile, tranzistorul IXYS este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o funcționare fiabilă și de lungă durată.
Detalii
IXTQ26P20P
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
300W
Montare
THT
Carcasă
TO3P
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-26A
Tensiune drenă-sursă
-200V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,17Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
56nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Timp de restabilire
240ns
Tehnologie
PolarP™
Coduri specifice
cod EAN13
5948546260746
Cod MPN
IXTQ26P20P
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.