Tranzistor P-MOSFET IXYS -50V 140A 298W 53ns este soluția ideală pentru aplicații care necesită performanțe ridicate și fiabilitate în condiții de utilizare extreme. Producătorul IXYS oferă un produs de calitate superioară, destinat montării THT, având o carcasă de tip TO220AB care asigură o disipare eficientă a căldurii, cu o putere disipată de până la 298W. Cu un curent drenă impresionant de -140A și o tensiune drenă-sursă de -50V, acest tranzistor P-MOSFET se dovedește a fi extrem de versatil pentru diverse aplicații de putere. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit contribuie la o performanță optimizată, iar rezistența în timpul funcționării de doar 9mΩ garantează eficiență energetică. Tensiunea poartă-sursă de ±15V și încărcătura poartă de 200nC asigură un control precis al comutării. Timpul de restabilire rapid de 53ns, combinat cu tehnologia avansată TrenchP™, face din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații care necesită rapiditate și precizie. Alege Tranzistorul P-MOSFET IXYS pentru a beneficia de performanțe de vârf și fiabilitate în proiectele tale electronice.
Detalii
IXTP140P05T
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
298W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-140A
Tensiune drenă-sursă
-50V
Tensiune poartă-sursă
±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
9mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
200nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Timp de restabilire
53ns
Tehnologie
TrenchP™
Coduri specifice
cod EAN13
5942544845899
Cod MPN
IXTP140P05T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.