Tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ unipolar -100V -26A 150W 70ns este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului. Acest tranzistor este echipat cu tehnologia TrenchP™, care permite o disipare eficientă a puterii de până la 150W.
Design-ul său inovator îl face potrivit pentru montare THT și este disponibil într-un ambalaj tub TO220AB durabil. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de -100V, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de doar 90mΩ, asigurând o eficiență maximă în aplicațiile tale.
Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 52nC, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu o tensiune poartă-sursă de ±15V și un timp de restabilire de doar 70ns, acest tranzistor este proiectat pentru performanțe optime. Alege tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ pentru aplicațiile tale electronice de înaltă cerință.
Detalii
IXTP26P10T
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
150W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-26A
Tensiune drenă-sursă
-100V
Tensiune poartă-sursă
±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
90mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
52nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Timp de restabilire
70ns
Tehnologie
TrenchP™
Coduri specifice
cod EAN13
5945300676614
Cod MPN
IXTP26P10T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.