Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ unipolar -50V -32A 83W TO220AB de la IXYS este o alegere ideală pentru aplicațiile de putere de mare performanță. Cu o putere disipată de 83W, acest tranzistor este conceput pentru a face față sarcinilor intense. Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de -32A asigură o funcționare eficientă și fiabilă. Tensiunea drenă-sursă de -50V și tensiunea poartă-sursă de ±15V sunt potrivite pentru o varietate de aplicații.
Cu o rezistență în timpul funcționării de 39mΩ, acest tranzistor oferă performanțe superioare în condiții de lucru variate. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 46nC fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile cu cerințe ridicate. Tipul P-MOSFET și timpul de restabilire de 26ns contribuie la o funcționare rapidă și eficientă.
Tehnologia TrenchP™ oferă o performanță îmbunătățită și o durabilitate sporită. Ambalajul în tub și montarea THT fac instalarea ușoară și convenabilă. Carcasa TO220AB oferă protecție și durabilitate suplimentare. Cu acest tranzistor puternic și fiabil, veți putea să vă bucurați de performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră de putere.
Detalii
IXTP32P05T
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
83W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-32A
Tensiune drenă-sursă
-50V
Tensiune poartă-sursă
±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
39mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
46nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Timp de restabilire
26ns
Tehnologie
TrenchP™
Coduri specifice
cod EAN13
5942357016851
Cod MPN
IXTP32P05T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.