P-MOSFET TrenchP™ -100V 210A 1040W IXTK210P10T

Tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ unipolar -100V -210A 1040W, IXTK210P10T este un produs de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Acest tranzistor se remarcă prin tehnologia sa inovatoare TrenchP™, care îi conferă o rezistență în timpul funcționării de doar 7.5mΩ, asigurând o funcționare fiabilă și eficientă.

Montarea acestui tranzistor se realizează prin intermediul tehnologiei THT, iar carcasa TO264 oferă protecție și durabilitate sporită. Subtipul de ambalaj în tub facilitează integrarea și instalarea acestuia în diverse aplicații. Polarizarea unipolară și curentul drenă de -210A îl fac potrivit pentru aplicații de putere mare, iar tensiunea drenă-sursă de -100V asigură o performanță optimă.

Tensiunea poartă-sursă de ±15V și încărcătura poartă de 740nC fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații sensibile la tensiune. Tipul P-MOSFET și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații, iar timpul de restabilire de doar 200ns îl face rapid și eficient în operațiuni de comutare. Alegeți tranzistorul IXYS P-MOSFET pentru o performanță de vârf în aplicațiile dumneavoastră electronice.