Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
  • Stoc epuizat
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
  • Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET VISHAY 100V 120A 375W

SUP70101EL-GE3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
30,41 lei
25,13 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor P-MOSFET TrenchFET VISHAY 100V 120A 375W este o soluție avansată pentru aplicații de putere, oferind performanțe excepționale și fiabilitate în condiții solicitante. Proiectat de VISHAY, acest tranzistor beneficiază de tehnologia de tip TrenchFET®, care asigură o eficiență ridicată și o rezistență operativă minimă de 15mΩ, optimizând astfel disiparea căldurii și maximizând eficiența sistemelor electrice.

Cu o capacitate de disipare a puterii de 375W și un curent de drenă de 120A, acest model este ideal pentru aplicații de înaltă putere. Tensiunea drenă-sursă atinge -100V, iar curentul de drenă în impuls poate ajunge la -240A, făcându-l potrivit pentru circuite care necesită gestionarea unor sarcini mari. Montarea se face prin tehnologia THT, utilizând carcasa TO220AB, care asigură o integrare ușoară în diverse configurații de proiectare.

Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit contribuie la stabilitatea și performanța acestui tranzistor. În plus, încărcătura poartă de 0,19µC și tensiunea poartă-sursă de ±20V facilitează controlul precis al funcționării. Acest tranzistor P-MOSFET este alegerea ideală pentru inginerii care caută soluții eficiente și de încredere pentru aplicații variate.
Detalii
SUP70101EL-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
375W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Curent de drenă în impuls
-240A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-120A
Tensiune drenă-sursă
-100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
15mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
0,19µC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5947601286929
Cod MPN
SUP70101EL-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor P-MOSFET Unipolar 60V 5,6A 42W IPAK TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Compon

Cod: IRFU9024PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor P-MOSFET Unipolar 60V 5,6A 42W IPAK TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5,6A; 42W; IPAK,TO251
8,88 lei
Mai multe Tranzistor P-MOSFET Unipolar 60V 5,6A 42W IPAK TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc