Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ -200V 120A 1040W

Tranzistorul IXYS IXTX120P20T este un dispozitiv puternic și eficient, proiectat pentru a satisface cerințele exigente ale aplicațiilor electronice moderne. Acest tranzistor P-MOSFET TrenchP™ unipolar oferă o putere de disipare impresionantă de 1.04kW, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de mare putere.

Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de -200V, acest tranzistor asigură performanțe fiabile și consistente într-o varietate de scenarii de funcționare. Tehnologia TrenchP™ oferă o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 30mΩ, ceea ce se traduce printr-o eficiență sporită și o dispersie termică redusă.

Tranzistorul IXTX120P20T este montat în carcasă PLUS247™ și are un subtip de ambalaj sub formă de tub, facilitând integrarea sa în diverse aplicații. Cu o tensiune poartă-sursă de ±15V și o încărcătură de poartă de 740nC, acest tranzistor oferă un control precis și fiabil al curentului.

Datorită timpului de restabilire rapid de doar 300ns și subtipului de canal îmbogățit, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații sensibile la timp și necesită un control precis al comutării. Cu o polarizare unipolară și o curent de drenaj de -120A, tranzistorul IXYS IXTX120P20T este alegerea ideală pentru aplicații de mare putere și performanță.