Tranzistor IGBT BiMOSFET 1,7kV 10A 150W TO268

Tranzistorul IXBT16N170A de la IXYS este un dispozitiv semiconductator de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicații electrice și electronice. Acest tranzistor IGBT BiMOSFET™ are o tensiune nominală de 1,7kV și poate suporta un curent de până la 10A, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații industriale și comerciale.

Carcasa TO268 permite o montare ușoară într-un modul SMD, iar subtipul de ambalaj în tub asigură protecție împotriva factorilor de mediu nocivi. Tehnologia BiMOSFET™ combină avantajele tranzistoarelor bipolare cu cele ale tranzistoarelor cu efect de câmp, rezultând într-un dispozitiv cu caracteristici semiconductoare de înaltă performanță.

Cu o putere disipată de 150W, acest tranzistor poate gestiona cu succes sarcini de curent de până la 40A și tensiuni de până la 1,7kV. Timpul de activare rapid de 43ns și timpul de dezactivare de 370ns asigură o funcționare eficientă și fiabilă în aplicațiile cu cerințe stricte de timp.

Cu o încărcătură de poartă de 65nC și o tensiune poartă-emitor de ±20V, acest tranzistor IGBT este ideal pentru aplicații de comutare de înaltă performanță. Fiabilitatea și performanța superioară fac din tranzistorul IXBT16N170A o alegere excelentă pentru proiectele dumneavoastră de electronică de putere.