Tranzistor IGBT BiMOSFET 1,7kV 10A 140W TO268

Tranzistorul IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 140W TO268 de la IXYS este o soluție de vârf pentru aplicațiile care necesită performanțe ridicate și fiabilitate. Acest tranzistor de înaltă tensiune vine într-un subtip de ambalaj tub și poate fi montat cu ușurință pe plăci de circuit imprimate SMD. Carcasa TO268 oferă o disipare eficientă a puterii de până la 140W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații exigente.

Cu caracteristici de semiconductoare de înaltă calitate, acest tranzistor IGBT BiMOSFET™ poate gestiona un curent de colector pulsat de până la 40A. Tensiunea port-emitor de ±20V și curentul de colector de 10A permit o funcționare stabilă și eficientă a dispozitivului. Timpul de activare rapid de 63ns și timpul de dezactivare de 1,8µs asigură o comutare rapidă și precisă a tranzistorului.

Cu o tensiune colector-emițător de 1,7kV și o încărcătură de poartă de 30nC, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în aplicații cu cerințe ridicate de tensiune și curent. Tehnologia BiMOSFET™ asigură o combinație optimă între IGBT și MOSFET, oferind o eficiență și o fiabilitate sporite.

În concluzie, tranzistorul IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 140W TO268 de la IXYS este alegerea perfectă pentru aplicațiile care necesită o combinație între putere, performanță și fiabilitate.