• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

IGBT BiMOSFET Tranzistor 1.7kV 10A 140W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT BiMOSFET Tranzistor 1.7kV 10A 140W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT BiMOSFET Tranzistor 1.7kV 10A 140W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

IGBT BiMOSFET Tranzistor 1.7kV 10A 140W TO247-3

IXBH10N170
IXYS
Tranzistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO247-3
92,83 lei
76,72 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 140W TO247-3 este un produs de înaltă calitate, fabricat de către producătorul de renume IXYS. Acest tranzistor este ambalat într-un tub convenabil și poate fi montat cu ușurință folosind tehnologia THT. Cu o putere disipată de 140W, acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale de tensiune înaltă, fiind ideal pentru aplicații care necesită o performanță superioară.

Cu un curent de colector pulsat de 40A și o tensiune poartă - emitor de ±20V, acest tranzistor oferă o funcționare fiabilă și eficientă. Cu un curent de colector de 10A și un timp de activare de doar 63ns, acest tranzistor asigură o comutare rapidă și precisă. Tensiunea colector-emițător de 1,7kV și o încărcătură de poartă de 30nC fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o putere mare și o fiabilitate deosebită.

Tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 140W TO247-3 este echipat cu tehnologia BiMOSFET™, care combină avantajele tranzistoarelor IGBT și MOSFET pentru a oferi o performanță optimă și o durabilitate sporită. Cu un timp de dezactivare de 1,8µs, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă.

În concluzie, tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 140W TO247-3 este o alegere excelentă pentru proiectele care necesită o putere mare, o fiabilitate deosebită și o performanță superioară. Alegeți calitatea și performanța cu tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 140W TO247-3!
Detalii
IXBH10N170

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
140W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare
de tensiune înaltă
Curent de colector pulsat
40A
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector
10A
Timp activare
63ns
Tensiune colector-emiţător
1,7kV
Încărcătură poartă
30nC
Tip tranzistor
IGBT
Timp dezactivare
1,8µs
Tehnologie
BiMOSFET™

Coduri specifice

cod EAN13
5949127318467
Cod MPN
IXBH10N170
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: