IGBT SiC SBD 650V 50A Tranzistor TO247-4

Tranzistorul BASiC SEMICONDUCTOR IGBT SiC SBD 650V 50A 357W TO247-4 este un dispozitiv de semiconductoare de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Acest tranzistor este echipat cu un diod anti-paralel integrat, ceea ce îl face extrem de versatil și potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu o putere disipată de 357W, acest tranzistor poate gestiona cerințele de putere ridicate fără probleme. Caracteristicile elementelor semiconductoare, precum tensiunea de colector de 650V și curentul de colector de 50A, îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o funcționare fiabilă și eficientă.

Tehnologiile avansate utilizate în acest tranzistor, precum Trench și Field Stop, asigură performanțe superioare și o durată lungă de viață. Cu un timp de activare de 54ns și un timp de dezactivare de 476ns, acest tranzistor oferă o comutare rapidă și precisă.

Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul BASiC SEMICONDUCTOR IGBT SiC SBD 650V 50A 357W TO247-4 este alegerea perfectă pentru performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Alegeți calitatea și performanța oferite de acest tranzistor de încredere.