• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor MOSFET 650V 50A TO-247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor MOSFET 650V 50A TO-247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor MOSFET 650V 50A TO-247

BGH50N65HF1
Tranzistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
106,94 lei
88,38 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Descoperiți eficiența și performanța superioară a tranzistorului MOSFET 650V 50A TO-247 de la BASiC SEMICONDUCTOR, un component esențial pentru aplicații de putere avansate. Proiectat cu tehnologia de ultimă generație Trench și Field Stop, acest tranzistor oferă o tensiune de colector-emițător de 650V, fiind capabil să suporte un curent de colector de 50A, ideal pentru sisteme de alimentare de înaltă performanță.

Carcasa TO247-3 asigură o montare THT ușor accesibilă, facilitând integrarea în diverse aplicații industriale. Cu o putere disipată de 357W, acest tranzistor optimizează performanța termică, prevenind supraîncălzirea și maximizând fiabilitatea. Dotat cu un curent de colector pulsat impresionant de 200A și o tensiune poartă-emitor de ±20V, acesta se adaptează cu ușurință cerințelor variate ale utilizatorilor.

În plus, tranzistorul include o diodă integrată anti-parallel, sporind eficiența generală a circuitului. Timpul de activare de 54ns și timpul de dezactivare de 256ns asigură răspuns rapid în aplicații de comutare. Cu o încărcătură a porții de 308nC, acest component se dovedește a fi extrem de eficient din punct de vedere energetic.

Alegeți tranzistorul MOSFET 650V 50A TO-247 de la BASiC SEMICONDUCTOR pentru soluții de putere de încredere, performanță excepțională și tehnologie de vârf.
Detalii
BGH50N65HF1

Fisa tehnica

Producător
BASiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
357W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare
integrated anti-parallel diode
Curent de colector pulsat
200A
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector
50A
Timp activare
54ns
Tensiune colector-emiţător
650V
Încărcătură poartă
308nC
Tip tranzistor
IGBT
Timp dezactivare
256ns
Tehnologie
Field Stop
SiC SBD
Trench

Coduri specifice

cod UPC
594425376098
cod EAN13
5944855321345
Cod MPN
BGH50N65HF1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: