Tranzistor IGBT SiC SBD 1,2kV 75A 568W TO247-3

Descoperiți Tranzistorul IGBT SiC SBD 1,2kV 75A 568W TO247-3 de la BASiC SEMICONDUCTOR, soluția ideală pentru aplicații de putere înaltă ce necesită eficiență și fiabilitate. Acest tranzistor de tip IGBT, cu tehnologie avansată Trench și Field Stop, oferă o tensiune colector-emițător de 1,2kV și un curent de colector de 75A, fiind perfect pentru utilizări în domenii precum convertizoare de putere, sisteme de propulsie electrică și controlul motoarelor.

Carcasa TO247-3 și montarea THT facilitează integrarea sa în diverse aplicații. Cu o putere disipată de 568W, acest tranzistor se dovedește a fi robust, având o caracteristică de diode anti-parallel integrată care asigură protecție suplimentară. Timpurile de activare și dezactivare de doar 140ns și, respectiv, 443ns, garantează performanțe rapide, în timp ce încărcătura porții de 398nC permite un control precis al semnalelor.

Cu un curent de colector pulsat de până la 200A și o tensiune poartă-emitor de ±20V, acest tranzistor IGBT este soluția versatilă și puternică pe care o căutați pentru a îmbunătăți eficiența sistemelor dumneavoastră electrice. Alegeți BASiC SEMICONDUCTOR pentru inovație și calitate superioară!