Tranzistor IGBT 650V 60A 300W TO3PN ONSEMI

Tranzistor IGBT 650V 60A 300W TO3PN ONSEMI este soluția ideală pentru aplicații de putere ridicată, oferind performanțe de excelență și fiabilitate. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor beneficiază de un design THT (Through-Hole Technology) într-o carcasă robustă TO3PN, garantând o integrare ușoară în diverse proiecte electronice.

Cu o putere disipată de 300W și un curent de colector de 60A, acest tranzistor este perfect pentru utilizări în invertoare, controlere de motor și surse de alimentare de înaltă eficiență. Datorită caracteristicilor sale avansate, inclusiv dioda integrată anti-paralel, acesta asigură o performanță deosebită în condiții de sarcină variabilă.

Tranzistorul IGBT are un curent de colector pulsat de 180A și o tensiune colector-emiţător de 650V, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită gestionarea unor tensiuni și curenți mari. Tensiunea poartă - emitor de ±20V și încărcătura poartă de 284nC contribuie la un control precis și rapid al comutării, oferind eficiență maximă în funcționare.

Alege Tranzistor IGBT 650V 60A 300W TO3PN ONSEMI pentru soluții fiabile și performante în domeniul electronicii de putere!