Tranzistor IGBT BiMOSFET 3kV 34A 150W

Tranzistorul IXBF20N300 este un dispozitiv semiconductor de înaltă performanță, fabricat de către producătorul de renume IXYS. Acest tranzistor este montat în tehnologia BiMOSFET™ și este încapsulat în carcasa ISOPLUS i4-pac™ x024c, oferind o soluție fiabilă și eficientă pentru aplicațiile dumneavoastră.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o putere disipată de 150W, un curent de colector de 34A și o tensiune de colector de 3kV. Cu un curent de colector pulsant de 130A și o tensiune poartă-emițător de ±20V, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă.

Timpul de activare scurt de 64ns și timpul de dezactivare de 0.3µs asigură o performanță excelentă în aplicațiile cu cerințe stricte de timp. Cu o încărcătură de poartă de 105nC, acest tranzistor IGBT BiMOSFET™ este ideal pentru aplicații de control de putere și comutare în medii industriale și comerciale.

În concluzie, tranzistorul IXBF20N300 oferă o combinație ideală între performanță, fiabilitate și eficiență, fiind soluția perfectă pentru cerințele dumneavoastră de control de putere.