Tranzistor IGBT 1,7kV 100A 830W TO264

Tranzistorul IXYS IGBT NPT 1,7kV 100A 830W TO264, IXGK100N170 este un dispozitiv semiconductoare de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele de putere și fiabilitate în aplicațiile industriale. Acest tranzistor oferă o putere de disipare impresionantă de 830W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere. Cu o tensiune de colector-emitor de 1,7kV și un curent de colector de 100A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere mari cu ușurință.

Carcasa TO264 și montarea THT facilitează integrarea acestui tranzistor în diferite aplicații, asigurând o disipare eficientă a căldurii și o durabilitate sporită. Tehnologia NPT și caracteristicile elementelor semiconductoare de tensiune înaltă asigură o performanță stabilă și fiabilă în funcționare.

Cu un timp de activare de 285ns și un timp de dezactivare de 720ns, acest tranzistor oferă o comutare rapidă și precisă, ceea ce este esențial în aplicațiile cu cerințe stricte de timp. Tensiunea poartă-emitor de ±20V și încărcătura de poartă de 425nC completează caracteristicile impresionante ale acestui tranzistor IGBT.

În concluzie, Tranzistorul IXYS IGBT NPT 1,7kV 100A 830W TO264, IXGK100N170 reprezintă o alegere excelentă pentru aplicațiile industriale care necesită putere, fiabilitate și performanță superioară.